4GB Module - Ddr4 2666MHz Non-ECC Cl19 1.2v Unbuffered Vlp Bulk Moq 50

Caractéristiques

Type de mémoire mise en cache

Unregistered (unbuffered)

Latence CAS

19

Mémoire interne

4 Go

Disposition de la mémoire (modules x dimensions)

1 x 4 Go

Type de mémoire interne

DDR4

Fréquence de la mémoire

2666 MHz

composant pour

PC/serveur

Support de mémoire

288-pin DIMM

ECC

Non

Niveau de mémoire

1

Mémoire de tension

1.2 V

Temps du cycle de la ligne (TRC)

45,75 ns

Refresh row cycle time (TRFC)

350 ns

Rayon de temps actif

32 ns

Tension de programmation (VPP)

2,5 V

Placage en plomb

Or

Norme JEDEC

Oui

Conditions environnementales

Température d'opération

0 - 85 °C

Température hors fonctionnement

-55 - 100 °C

Détails techniques

Certificats de durabilité

RoHS

Poids et dimensions

Largeur

133,3 mm

Hauteur

18,8 mm